| 碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较 | |
张凌民1,2; 崔兴柱2 ; 魏志鹏1; 郭东亚2; 刘雅清2; 乔锐2; 彭文溪2; 王晓华1
| |
| 2016 | |
| 发表期刊 | 核电子学与探测技术 |
| ISSN | 0258-0934 |
| 卷号 | 36期号:10页码:1044-1048 |
| 文章类型 | Article |
| 关键词 | SiC Geant4 辐射探测 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/261165 |
| 专题 | 实验物理中心 粒子天体物理中心 |
| 作者单位 | 1.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 2.中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室 |
| 第一作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张凌民,崔兴柱,魏志鹏,等. 碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较[J]. 核电子学与探测技术,2016,36(10):1044-1048. |
| APA | 张凌民.,崔兴柱.,魏志鹏.,郭东亚.,刘雅清.,...&王晓华.(2016).碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较.核电子学与探测技术,36(10),1044-1048. |
| MLA | 张凌民,et al."碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较".核电子学与探测技术 36.10(2016):1044-1048. |
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