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碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较
张凌民1,2; 崔兴柱2; 魏志鹏1; 郭东亚2; 刘雅清2; 乔锐2; 彭文溪2; 王晓华1
2016
发表期刊核电子学与探测技术
卷号36期号:10页码:1044-1048
关键词SiC Geant4 辐射探测
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/261165
专题实验物理中心
作者单位1.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
2.中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张凌民,崔兴柱,魏志鹏,等. 碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较[J]. 核电子学与探测技术,2016,36(10):1044-1048.
APA 张凌民.,崔兴柱.,魏志鹏.,郭东亚.,刘雅清.,...&王晓华.(2016).碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较.核电子学与探测技术,36(10),1044-1048.
MLA 张凌民,et al."碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较".核电子学与探测技术 36.10(2016):1044-1048.
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