微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷
魏龙; 王文华; 王宝义; 巨新; 吴忠华; 奎热西; 李毅军; 谈晓臣; 马勉军
刊名核技术
2000
期号6页码:381-383
关键词微重力 缺陷 碲镉汞
其他题名STUDY OF DEFECTS IN HgCdTe GROWN UNDER MICRO-GRAVITY
通讯作者王宝义
中文摘要采用正电子湮没寿命谱方法对空间微重力及重力条件下生长的呼银汞(MCT)材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明,在空间微重力条件下生长的MCT晶体中,其空位型缺陷浓度低于地球上有重句条件下生长的晶体,并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。
项目资助者中国科学院九五重点项目!KJ952-51-416 ; 国家自然科学基金!19805010
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221770
专题中国科学院高能物理研究所_核技术应用研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
魏龙,王文华,王宝义,等. 微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷[J]. 核技术,2000(6):381-383.
APA 魏龙.,王文华.,王宝义.,巨新.,吴忠华.,...&马勉军.(2000).微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷.核技术(6),381-383.
MLA 魏龙,et al."微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷".核技术 .6(2000):381-383.
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