高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
郭晓旭; 朱美芳; 刘金龙; 韩一琴; 许怀哲; 董宝中; 生文君; 韩和相
刊名物理学报
1998
期号9页码:89-94
关键词微晶硅薄膜 薄膜微结构 晶化过程 稀释度 晶态 微空洞 衬底温度 红外谱 散射强度 小角
其他题名MICROSTRUCTURESOF THE MICRO-CRYSTALLINE SILICON THIN FILMS PREPARED BY HOT WIRE CHEMICAL DEPOSITION WITH HYDROGEN DILUTION
中文摘要采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χc随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面.
项目资助者国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221666
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
郭晓旭,朱美芳,刘金龙,等. 高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究[J]. 物理学报,1998(9):89-94.
APA 郭晓旭.,朱美芳.,刘金龙.,韩一琴.,许怀哲.,...&韩和相.(1998).高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究.物理学报(9),89-94.
MLA 郭晓旭,et al."高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究".物理学报 .9(1998):89-94.
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