| 用同步辐射X射线漫散射研究p型ZnO性能退化的微结构根源 |
| 王焕华
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| 2010
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| 结束日期 | 2012-12-31
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| 简介 | p型ZnO作为下一代紫外激光器、紫外发光二极管、空间太阳能电池等光电器件的核心材料，具有重大的应用价值和诱人的应用前景。但是，p型ZnO性能退化问题是目前ZnO材料应用的瓶颈。尽管国内外对其制备方法进行了大量的研究和改进，但由于各种缺陷的补偿作用，至今还没有获得低电阻率且随时间稳定的p型材料。解决这个问题的关键是先从微观结构上搞清楚p-ZnO性能退化的根源，一个有力的研究手段是同步辐射X射线漫散射。本项目拟在BSRF漫散射站现有的基础上完善同步辐射X射线漫散射技术，利用它研究不同工艺掺杂的p型ZnO的缺陷结构及其随时间和环境的变化，找出p-ZnO的微观结构与宏观导电性质的对应关系，揭示其性能退化在缺陷结构上的原因和表现，为解决p型ZnO这一技术瓶颈提供科学依据，同时也以之为切入点推动同步辐射X射线漫散射方法在国内的发展和应用。 |
| 关键词 | X射线漫散射
p型ZnO
缺陷
微结构
退化机制
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| 文献类型 | 项目
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| 条目标识符 | https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/198665
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| 专题 | 多学科研究中心_项目/基金
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王焕华.用同步辐射X射线漫散射研究p型ZnO性能退化的微结构根源.2010.
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