Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4

IHEP OpenIR > 东莞研究部

	Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4
	Zhong, JY; Yang, M; Ye, F; Liu, C; Wang, JO; Wang, JF; Hao, WC; Zhuang, JC; Du, Y
	2022
发表期刊	PHYSICAL REVIEW APPLIED (IF:4.808[JCR-2016],4.808[5-Year])
ISSN	2331-7019
卷号	17 期号:6 页码:64017
条目编号	IHEP00033858
文章类型	Article
DOI	10.1103/PhysRevApplied.17.064017
收录类别	ADS
语种	英语
WOS记录号	WOS:000813241000002
ADS Bibcode	2022PhRvP..17f4017Z
ADS URL	https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2022PhRvP..17f4017Z
ADS引文	https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2022PhRvP..17f4017Z/citations
引用统计	正在获取... 被引频次：9 [ADS]
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/300107
专题	东莞研究部多学科研究中心
作者单位	中国科学院高能物理研究所
第一作者单位	中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhong, JY,Yang, M,Ye, F,et al. Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4[J]. PHYSICAL REVIEW APPLIED,2022,17(6):64017.
APA	Zhong, JY.,Yang, M.,Ye, F.,Liu, C.,Wang, JO.,...&Du, Y.(2022).Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4.PHYSICAL REVIEW APPLIED,17(6),64017.
MLA	Zhong, JY,et al."Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4".PHYSICAL REVIEW APPLIED 17.6(2022):64017.