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一种纯铌腔内表面镀铌三锡薄膜的方法及真空炉
刘佰奇; 董超; 沙鹏; 翟纪元
2020
专利权人中国科学院高能物理研究所 ; 上海三井真空设备有限公司
公开日期2020
专利类型发明专利
摘要本发明公开了一种纯铌腔内表面镀铌三锡薄膜的方法及真空炉。本发明的真空炉特征在于,包括由外真空系统与内真空系统构成的双真空结构;其中,外真空系统内设有用于对内真空系统加热的加热器以及用于测量内真空系统设定区域温度的测温探头;所述内真空系统内设有一铌腔吊装装置,该旋转吊装装置用于连接待镀膜的铌腔和锡坩埚,并通过传动机构对铌腔进行循环转动。通过该真空炉,可在纯铌腔内镀一层纯净、完全覆盖、均匀分布的铌三锡薄膜,从而实现铌三锡在超导腔上的应用。
专利号CN111074208
申请号CN201911314280.2
专利代理人司立彬
代理机构北京君尚知识产权代理有限公司 11200
文献类型专利
条目标识符https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298294
专题加速器中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
第一作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘佰奇,董超,沙鹏,等. 一种纯铌腔内表面镀铌三锡薄膜的方法及真空炉. CN111074208[P]. 2020-01-01.
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