BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究
付婷婷; 伍灵慧; 张晋; 王亮亮; 袁野; 张瑶; 李明非; 刘怀民
刊名核电子学与探测技术
2016
期号4
通讯作者伍灵慧
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/261002
专题中国科学院高能物理研究所_实验物理中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_实验物理中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
付婷婷,伍灵慧,张晋,等. BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究[J]. 核电子学与探测技术,2016(4).
APA 付婷婷.,伍灵慧.,张晋.,王亮亮.,袁野.,...&刘怀民.(2016).BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究.核电子学与探测技术(4).
MLA 付婷婷,et al."BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究".核电子学与探测技术 .4(2016).
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