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Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces
雷涛; 张念; 赵佳丽; 刘晨; 王嘉鸥; 吴蕊; 钱海杰; 奎热西
2016
发表期刊Journal of Physics: Condensed Matter
卷号28期号:25页码:255501
通讯作者奎热西
文章类型期刊论文
DOI10.1088/0953-8984/28/25/255501
语种英语
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/260442
专题多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
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GB/T 7714
雷涛,张念,赵佳丽,等. Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces[J]. Journal of Physics: Condensed Matter,2016,28(25):255501.
APA 雷涛.,张念.,赵佳丽.,刘晨.,王嘉鸥.,...&奎热西.(2016).Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces.Journal of Physics: Condensed Matter,28(25),255501.
MLA 雷涛,et al."Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces".Journal of Physics: Condensed Matter 28.25(2016):255501.
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