Cd-doping a facile approach for better thermoelectric transport properties of BiCuSeO oxyselenides
Farooq, MU; Butt, S; Gao, KW; Zhu, YC; Sun, XG; Pang, XL; Khan, SU; Mohmed, F; Mahmood, A; Mahmood, N; Xu, W; Xu W(徐伟)
刊名RSC ADVANCES
2016
卷号6期号:40
DOI10.1039/c6ra01686c
语种英语
WOS记录号WOS:000374045000066
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/248042
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
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GB/T 7714
Farooq, MU,Butt, S,Gao, KW,et al. Cd-doping a facile approach for better thermoelectric transport properties of BiCuSeO oxyselenides[J]. RSC ADVANCES,2016,6(40).
APA Farooq, MU.,Butt, S.,Gao, KW.,Zhu, YC.,Sun, XG.,...&徐伟.(2016).Cd-doping a facile approach for better thermoelectric transport properties of BiCuSeO oxyselenides.RSC ADVANCES,6(40).
MLA Farooq, MU,et al."Cd-doping a facile approach for better thermoelectric transport properties of BiCuSeO oxyselenides".RSC ADVANCES 6.40(2016).
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