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The Origin of Oxygen Vacancies Controlling La2/3Sr1/3MnO3 Electronic and Magnetic Properties
Guo, HZ; Wang JO(王嘉欧); Hong CH(洪才浩); Guo ZY(郭志英); Kui RX(奎热西); Wang, JO; He, X; Yang, ZZ; Zhang, QH; Jin, KJ; Ge, C; Zhao, RQ; Gu, L; Feng, YQ; Zhou, WJ; Li, XL; Wan, Q; He, M; Hong, CH; Guo, ZY; Wang, C; Lu, HB; Ibrahim, K; Meng, S; Yang, H; Yang, GZ
2016
发表期刊ADVANCED MATERIALS INTERFACES
卷号3期号:5
DOI10.1002/admi.201500753
语种英语
WOS记录号WOS:000372005900010
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/248013
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GB/T 7714
Guo, HZ,Wang JO,Hong CH,et al. The Origin of Oxygen Vacancies Controlling La2/3Sr1/3MnO3 Electronic and Magnetic Properties[J]. ADVANCED MATERIALS INTERFACES,2016,3(5).
APA Guo, HZ.,王嘉欧.,洪才浩.,郭志英.,奎热西.,...&Yang, GZ.(2016).The Origin of Oxygen Vacancies Controlling La2/3Sr1/3MnO3 Electronic and Magnetic Properties.ADVANCED MATERIALS INTERFACES,3(5).
MLA Guo, HZ,et al."The Origin of Oxygen Vacancies Controlling La2/3Sr1/3MnO3 Electronic and Magnetic Properties".ADVANCED MATERIALS INTERFACES 3.5(2016).
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