Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates
Lei T(雷涛); Liu C(刘晨); Zhao JL(赵佳丽); Li JM(李金梅); Wang JO(王嘉欧); Wu R(吴蕊); Qian HJ(钱海杰); Kui RX(奎热西); Lei, T; Liu, C; Zhao, JL; Li, JM; Li, YP; Wang, JO; Wu, R; Qian, HJ; Wang, HQ; Ibrahim, K
刊名JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2016
卷号119期号:1
DOI10.1063/1.4939281
语种英语
WOS记录号WOS:000367902600043
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/247916
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_中国散裂中子源
推荐引用方式
GB/T 7714
Lei T,Liu C,Zhao JL,et al. Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2016,119(1).
APA 雷涛.,刘晨.,赵佳丽.,李金梅.,王嘉欧.,...&Ibrahim, K.(2016).Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,119(1).
MLA 雷涛,et al."Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119.1(2016).
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