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Self-assembled SiGe quantum rings grown on Si(001) by molecular beam epitaxy
Cui, J; He Q(贺庆); Jiang XM(姜晓明); He, Q; Jiang, XM; Fan, YL; Yang, XJ; Xue, F; Jiang, ZM
2003
发表期刊APPLIED PHYSICS LETTERS
卷号83期号:14页码:2907-2909
通讯作者Fudan Univ, Surface Phys Lab, Natl Key Lab, Shanghai 200433, Peoples R China ; Inst High Energy Phys, BSRF, Beijing 100039, Peoples R China
文章类型Article
摘要SiGe quantum rings (QRs) were grown by partially capping on Ge quantum dots (QDs) on Si(001). Atomic force microscopy images show the shape transformation from QDs to QRs. Initial capping, with a Si layer thickness less than 2 nm, will result in the decrease of height of QDs and increase of base diameter of QDs. Capped with a Si layer, QDs will change into QRs. The mechanism of transformation from QDs to QRs is discussed. The strain will redistribute after capping, thus the strain energy relief, together with high Ge surface diffusion and Ge surface segregation at a relative high temperature of 680 degreesC, play the dominant role. (C) 2003 American Institute of Physics.
学科领域Physics
研究领域[WOS]Physics ; Physics
DOI10.1063/1.1616992
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语种英语
研究领域[WOS]Physics ; Physics
WOS类目Physics, Applied
WOS记录号WOS:000185664000059
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/239841
专题多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
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GB/T 7714
Cui, J,He Q,Jiang XM,et al. Self-assembled SiGe quantum rings grown on Si(001) by molecular beam epitaxy[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2003,83(14):2907-2909.
APA Cui, J.,贺庆.,姜晓明.,He, Q.,Jiang, XM.,...&Jiang, ZM.(2003).Self-assembled SiGe quantum rings grown on Si(001) by molecular beam epitaxy.APPLIED PHYSICS LETTERS,83(14),2907-2909.
MLA Cui, J,et al."Self-assembled SiGe quantum rings grown on Si(001) by molecular beam epitaxy".APPLIED PHYSICS LETTERS 83.14(2003):2907-2909.
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