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The interface roughness exponent in GexSi1-x/Si superlattices
Cui, SF; Luo, GM; Li, M; Mai, ZH; Cui, Q; Zhou, JM; Jiang, XM; Zhang, WL; Jiang XM(姜晓明); Zheng WL(郑文莉)
1997
发表期刊JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
卷号9期号:14页码:2891-2902
通讯作者CHINESE ACAD SCI,INST HIGH ENERGY PHYS,BEIJING 100039,PEOPLES R CHINA
文章类型Article
摘要The interface roughness and scaling exponent of GexSi1-x/Si strained-layer superlattices (SLSs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) have been measured by x-ray reflectivity and diffuse-scattering methods. We have found that for samples grown under identical conditions the root mean square (rms) roughnesses (sigma), the roughness exponents (h), and the lateral correlation length (xi) are dependent upon the thickness and/or the substrate temperatures of the superlattice. The incorporation of a surfactant, such as antimony, can retard interface widening and smooth the interface.
学科领域Physics
DOI10.1088/0953-8984/9/14/005
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语种英语
WOS研究方向Physics
WOS类目Physics, Condensed Matter
WOS记录号WOS:A1997WT34200005
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被引频次:8[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/239839
专题多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Cui, SF,Luo, GM,Li, M,et al. The interface roughness exponent in GexSi1-x/Si superlattices[J]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,1997,9(14):2891-2902.
APA Cui, SF.,Luo, GM.,Li, M.,Mai, ZH.,Cui, Q.,...&郑文莉.(1997).The interface roughness exponent in GexSi1-x/Si superlattices.JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,9(14),2891-2902.
MLA Cui, SF,et al."The interface roughness exponent in GexSi1-x/Si superlattices".JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 9.14(1997):2891-2902.
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