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PHOTOCONDUCTION EXTENDED X-RAY-ABSORPTION FINE-STRUCTURE OF GAAS
Hu TD(胡天斗); Xie YN(谢亚宁); Qiao S(乔山); Hai Y(海洋); Jin YL(靳亚兰); Xian DC(冼鼎昌); HU, TD; XIE, YN; QIAO, S; HAI, Y; JIN, YL; XIAN, DC
1994
发表期刊PHYSICAL REVIEW B
卷号50期号:4页码:2216-2220
文章类型Article
摘要Photoconduction spectra of GaAs samples at photon energies around the Ga and As K edges were measured. Extended x-ray-absorption fine-structure oscillation was observed in these spectra. It is found that the spectrum shape of the photocurrent depends on the sample thickness. A microscopic theory is presented to determine the photoconduction response to x-ray absorption. The theory is in good agreement with experiment.
学科领域Physics
研究领域[WOS]Physics ; Physics
DOI10.1103/PhysRevB.50.2216
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语种英语
研究领域[WOS]Physics ; Physics
WOS类目Physics, Condensed Matter
WOS记录号WOS:A1994PA18700022
引用统计
被引频次:10[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/239690
专题院士
多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Hu TD,Xie YN,Qiao S,et al. PHOTOCONDUCTION EXTENDED X-RAY-ABSORPTION FINE-STRUCTURE OF GAAS[J]. PHYSICAL REVIEW B,1994,50(4):2216-2220.
APA 胡天斗.,谢亚宁.,乔山.,海洋.,靳亚兰.,...&XIAN, DC.(1994).PHOTOCONDUCTION EXTENDED X-RAY-ABSORPTION FINE-STRUCTURE OF GAAS.PHYSICAL REVIEW B,50(4),2216-2220.
MLA 胡天斗,et al."PHOTOCONDUCTION EXTENDED X-RAY-ABSORPTION FINE-STRUCTURE OF GAAS".PHYSICAL REVIEW B 50.4(1994):2216-2220.
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