Relation between microstructures and magnetic properties upon annealing in Fe50Mn50/Ni80Fe20 films
Xu, M; Lu, ZQ; Yang, T; Liu, CX; Cui, SF; Mai, ZH; Lai, WY; Jia, QJ; Zheng, WL; Jia QJ(贾全杰); Zheng WL(郑文莉)
刊名JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2002
卷号92期号:4页码:2052-2057
学科分类Physics
DOI10.1063/1.1493653
通讯作者Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing 100080, Peoples R China ; Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, Synchrotron Radiat Lab, Beijing 100039, Peoples R China
文章类型Article
英文摘要The annealing-temperature-dependent change in the exchange bias and coercivity is investigated in Fe50Mn50/Ni80Fe20 films. It is interesting to note that, as the annealing temperature increases, the exchange bias first decreases, and then increases, and finally decreases for the case of annealing at the higher temperature. The coercivity will increase upon annealing at moderate temperature, but decrease upon higher-temperature annealing. We can qualitatively interpret the change of the magnetic properties with annealing temperature in connection to the microstructures by x-ray scattering technologies. The results show that both the large exchange bias field and low coercivity of Fe50Mn50/Ni80Fe20 films are dependent of not only the interfacial roughness but also the antiferromagnetic structure. (C) 2002 American Institute of Physics.
类目[WOS]Physics, Applied
研究领域[WOS]Physics
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语种英语
WOS记录号WOS:000177171700053
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/239634
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_粒子天体物理中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Xu, M,Lu, ZQ,Yang, T,et al. Relation between microstructures and magnetic properties upon annealing in Fe50Mn50/Ni80Fe20 films[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2002,92(4):2052-2057.
APA Xu, M.,Lu, ZQ.,Yang, T.,Liu, CX.,Cui, SF.,...&郑文莉.(2002).Relation between microstructures and magnetic properties upon annealing in Fe50Mn50/Ni80Fe20 films.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,92(4),2052-2057.
MLA Xu, M,et al."Relation between microstructures and magnetic properties upon annealing in Fe50Mn50/Ni80Fe20 films".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 92.4(2002):2052-2057.
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