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Extremely narrow Sb delta-doped epitaxial layer characterized by x-ray reflectivity
Jiang, ZM; Xiu, LS; Jiang, XM; Zheng, WL; Lu, XK; Zhu, HJ; Zhang, XJ; Wang, X; Xiu LS(修立松); Jiang XM(姜晓明); Zheng WL(郑文莉)
1997
发表期刊CHINESE PHYSICS LETTERS
卷号14期号:9页码:686-689
通讯作者CHINESE ACAD SCI,SYNCHROTRON RADIAT LAB,INST HIGH ENERGY PHYS,BEIJING 100039,PEOPLES R CHINA ; FUDAN UNIV,SURFACE PHYS LAB,SHANGHAI 200433,PEOPLES R CHINA
摘要An Sb delta doping layer in silicon is grown at the temperature of 300 degrees C by silicon molecular beam epitaxy and characterized by the small angle x-ray reflectivity measurement using synchrotron radiation beam. The oscillations of the reflectivity caused by dopant Sb at Q as large as 14.5 are detected. Simulation of this curve as a whole shows that the total amount of dopant Sb is 0.15 monolayer and is restricted to two atomic layers. An extremely narrow Sb delta doping structure without Sb segregation is thus obtained at the growth temperature of 300 degrees C as verified by the experiment.
文章类型Article
学科领域Physics
研究领域[WOS]Physics
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语种英语
WOS类目Physics, Multidisciplinary
WOS记录号WOS:A1997YC66000013
引用统计
被引频次:3[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/238269
专题多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
中国科学院高能物理研究所_中国散裂中子源
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Jiang, ZM,Xiu, LS,Jiang, XM,et al. Extremely narrow Sb delta-doped epitaxial layer characterized by x-ray reflectivity[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,1997,14(9):686-689.
APA Jiang, ZM.,Xiu, LS.,Jiang, XM.,Zheng, WL.,Lu, XK.,...&郑文莉.(1997).Extremely narrow Sb delta-doped epitaxial layer characterized by x-ray reflectivity.CHINESE PHYSICS LETTERS,14(9),686-689.
MLA Jiang, ZM,et al."Extremely narrow Sb delta-doped epitaxial layer characterized by x-ray reflectivity".CHINESE PHYSICS LETTERS 14.9(1997):686-689.
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