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The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering
其他题名共溅射和离子注入制备的SiO2( Eu) 薄膜中Eu3+ 到Eu2+ 的转变
Liu, FZ; Zhu, MF; Liu T(刘涛); Liu, T; Li, BC
2001
发表期刊ACTA PHYSICA SINICA
卷号50期号:3页码:532-535
通讯作者Univ Sci & Technol China, State Key Lab Mat Chem & Applicat, Dept Phys, Grad Sch, Beijing 100039, Peoples R China ; Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, Beijing Synchrotron Radiat Facil, Beijing 100039, Peoples R China ; Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China
文章类型Article
摘要Eu ions doped SiO2 thin films, SiO2( Eu), were prepared by co-sputtering of SiO2 and Eu2O3 and Eu ion implantation into thermally grown SiO2 films. The Eu-L-3-edge X-ray absorption near edge structure (XANES) spectra of SiO2(Eu) films show a doublet absorption peak structure with energy difference of 7 eV, which indicates the conversion of Eu3+ to Eu2+ at high annealing temperature in N-2. The strong blue luminescence of SiO2(Eu) films prepared by ions implantation after films annealed above 1100 degreesC confirms the above argument.
关键词SiO2(Eu) films XANES
学科领域Physics
研究领域[WOS]Physics ; Physics
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语种英语
研究领域[WOS]Physics ; Physics
WOS类目Physics, Multidisciplinary
WOS记录号WOS:000167572500032
引用统计
被引频次:3[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/237849
专题多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, FZ,Zhu, MF,Liu T,et al. The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2001,50(3):532-535.
APA Liu, FZ,Zhu, MF,刘涛,Liu, T,&Li, BC.(2001).The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering.ACTA PHYSICA SINICA,50(3),532-535.
MLA Liu, FZ,et al."The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering".ACTA PHYSICA SINICA 50.3(2001):532-535.
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