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DETERMINATION OF DEPTH PROFILING OF METAL TRACE IMPURITIES ON SI SURFACE USING TOTAL REFLECTION X-RAY-FLUORESCENCE
Fan QM(范钦敏); Liu YW(刘亚雯); LI, DL; Wei CL(魏诚林); FAN, QM; LIU, YW; LI, DL; WEI, CL
1993
发表期刊FRESENIUS JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
卷号345期号:7页码:518-520
摘要Total reflection X-ray fluorescence (TXRF) is used for non-destructive determination of depth profiling. A numerical processing is presented as impurity quantification in the continuum excitation TXRF without using standards. Dependences of concentration of impurities on depths ranging from a few tens to thousands Angstroms are given for Fe and Cu on Si-wafer. The detection limits are in the range of 10(10) atoms/cm2. The method was checked with Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) and the agreement is reasonably good.
文章类型Article
学科领域Chemistry
DOI10.1007/BF00326342
研究领域[WOS]Chemistry
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语种英语
WOS类目Chemistry, Analytical
WOS记录号WOS:A1993KQ58000008
引用统计
被引频次:5[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/237797
专题多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
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GB/T 7714
Fan QM,Liu YW,LI, DL,et al. DETERMINATION OF DEPTH PROFILING OF METAL TRACE IMPURITIES ON SI SURFACE USING TOTAL REFLECTION X-RAY-FLUORESCENCE[J]. FRESENIUS JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY,1993,345(7):518-520.
APA 范钦敏.,刘亚雯.,LI, DL.,魏诚林.,FAN, QM.,...&WEI, CL.(1993).DETERMINATION OF DEPTH PROFILING OF METAL TRACE IMPURITIES ON SI SURFACE USING TOTAL REFLECTION X-RAY-FLUORESCENCE.FRESENIUS JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY,345(7),518-520.
MLA 范钦敏,et al."DETERMINATION OF DEPTH PROFILING OF METAL TRACE IMPURITIES ON SI SURFACE USING TOTAL REFLECTION X-RAY-FLUORESCENCE".FRESENIUS JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY 345.7(1993):518-520.
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