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Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method
Han, RJ; Xu, XG; Hu, XB; Yu, NS; Wang, JY; Tian, YL; Huang, WX; Tian YL(田玉莲); Huang WX(黄万霞)
2003
发表期刊OPTICAL MATERIALS
卷号23期号:1-2页码:415-420
通讯作者Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China ; Inst High Energy Phys, Beijing Synchrotron Radiat Lab, Beijing 100039, Peoples R China
摘要This paper reviews the development of bulk SiC single crystals grown by physical vapor transport method, including the polytype control, defects and doped consideration. In addition, defects in commercial 6H-SiC wafer, such as micropipes, hexagonal voids and subgrain boundaries, are examined by transmission optical microscopy, X-ray synchrotron topography in back-reflection geometry and high-resolution X-ray diffraction methods. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
文章类型Article; Proceedings Paper
关键词SiC crystal growth semiconductor defect
学科领域Materials Science; Optics
研究领域[WOS]Materials Science ; Optics
DOI10.1016/S0925-3467(02)00330-0
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语种英语
WOS类目Materials Science, Multidisciplinary ; Optics
WOS记录号WOS:000183919200077
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被引频次:20[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/237383
专题多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
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GB/T 7714
Han, RJ,Xu, XG,Hu, XB,et al. Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method[J]. OPTICAL MATERIALS,2003,23(1-2):415-420.
APA Han, RJ.,Xu, XG.,Hu, XB.,Yu, NS.,Wang, JY.,...&黄万霞.(2003).Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method.OPTICAL MATERIALS,23(1-2),415-420.
MLA Han, RJ,et al."Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method".OPTICAL MATERIALS 23.1-2(2003):415-420.
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