Oriented growth of Ta2O5 films induced by substrate bias
Huang, AP; Xu, SL; Zhu, MK; Li, GH; Liu, T; Wang, B; Yan, H; Liu T(刘涛)
刊名JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
2003
卷号255期号:1-2页码:145-149
关键词crystal structure nucleation oxides dielectric materials
学科分类Crystallography; Materials Science; Physics
DOI10.1016/S0022-0248(03)01249-1
通讯作者Univ Sci & Technol Beijing, Quantum Mat Lab, Beijing 100022, Peoples R China ; Chinese Acad Sci, Beijing Synchrotron Radiat Facil, Beijing 100039, Peoples R China
文章类型Article
英文摘要Tantalum pentoxide (Ta2O5) films with high <001> orientation have exceptionally high dielectric constant. Usually, oriented Ta2O5 films were fabricated by post-annealing. In this paper, as-deposited Ta2O5 films with high <001> orientation were sputtered at low temperature with substrate bias. The orientation of the films is modified to be better with the bias being increased. The bias effect on the orientation of the films is discussed in details. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
类目[WOS]Crystallography ; Materials Science, Multidisciplinary ; Physics, Applied
研究领域[WOS]Crystallography ; Materials Science ; Physics
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语种英语
WOS记录号WOS:000183767000019
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被引频次:6[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/236831
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Huang, AP,Xu, SL,Zhu, MK,et al. Oriented growth of Ta2O5 films induced by substrate bias[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003,255(1-2):145-149.
APA Huang, AP.,Xu, SL.,Zhu, MK.,Li, GH.,Liu, T.,...&刘涛.(2003).Oriented growth of Ta2O5 films induced by substrate bias.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,255(1-2),145-149.
MLA Huang, AP,et al."Oriented growth of Ta2O5 films induced by substrate bias".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 255.1-2(2003):145-149.
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