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Band Alignment of Atomic Layer Deposited Al2O3/Zn0.8Al0.2Oy Hetero-interface Determined by X-ray Photoelectron Spectroscopy
Yan BJ(闫保军); Liu SL(刘术林); Heng YK(衡月昆); Baojun Yan; Shulin Liu; Yuekun Heng; Yuzhen Yang
2015
发表期刊The 6th International Conference on Nanoscience & Technology, China 2015;中国北京;2015;
通讯作者闫保军 ; 刘术林 ; 衡月昆
文章类型Proceedings Paper
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/229107
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GB/T 7714
Yan BJ,Liu SL,Heng YK,et al. Band Alignment of Atomic Layer Deposited Al2O3/Zn0.8Al0.2Oy Hetero-interface Determined by X-ray Photoelectron Spectroscopy[J]. The 6th International Conference on Nanoscience & Technology, China 2015;中国北京;2015;,2015.
APA 闫保军.,刘术林.,衡月昆.,Baojun Yan.,Shulin Liu.,...&Yuzhen Yang.(2015).Band Alignment of Atomic Layer Deposited Al2O3/Zn0.8Al0.2Oy Hetero-interface Determined by X-ray Photoelectron Spectroscopy.The 6th International Conference on Nanoscience & Technology, China 2015;中国北京;2015;.
MLA 闫保军,et al."Band Alignment of Atomic Layer Deposited Al2O3/Zn0.8Al0.2Oy Hetero-interface Determined by X-ray Photoelectron Spectroscopy".The 6th International Conference on Nanoscience & Technology, China 2015;中国北京;2015; (2015).
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