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Simulation study of high intensity S-Band photoinjector
Zhu XW(朱雄伟); Zhu, XW
2004
发表期刊INTERNATIONAL JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
卷号25期号:8页码:#REF!
通讯作者Zhu, XW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, POB 918-9, Beijing 100039, Peoples R China.
摘要In this paper, we report the results of simulation study of KEK/U.Tokyo S-Band photoinjector under the present new experimental condition. The aim of the simulation study is to transport high bunch charge with low emittance evolution.
文章类型Article
学科领域Engineering; Optics; Physics
DOI10.1023/B:IJIM.0000042758.65750.41
收录类别SCI
WOS类目Engineering, Electrical & Electronic ; Optics ; Physics, Applied
WOS记录号WOS:000224099500012
引用统计
被引频次:1[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/227800
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GB/T 7714
Zhu XW,Zhu, XW. Simulation study of high intensity S-Band photoinjector[J]. INTERNATIONAL JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2004,25(8):#REF!.
APA 朱雄伟,&Zhu, XW.(2004).Simulation study of high intensity S-Band photoinjector.INTERNATIONAL JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,25(8),#REF!.
MLA 朱雄伟,et al."Simulation study of high intensity S-Band photoinjector".INTERNATIONAL JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES 25.8(2004):#REF!.
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