Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
Chen, J; Wang, JF; Zhang, JC; Wang, H; Huang, Y; Wang, YT; Yang, H; Jia, QJ; Jia QJ(贾全杰)
刊名HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION
2005
卷号29页码:#REF!
关键词GaN metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) epitaxy lateral overgrowth stacking faults synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD) pole figure
学科分类Physics
其他题名侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错的同步辐射表征
通讯作者Chen, J (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
文章类型Article
英文摘要By means of low temperature photoluminescence and synchrotron radiation X-ray diffraction, existence of stacking faults has been determined in epitaxy lateral overgrowth GaN by metalorganic chemical vapor deposition.
类目[WOS]Physics, Nuclear ; Physics, Particles & Fields
收录类别SCI
WOS记录号WOS:000234206900010
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/225667
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
Chen, J,Wang, JF,Zhang, JC,et al. Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation[J]. HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION,2005,29:#REF!.
APA Chen, J.,Wang, JF.,Zhang, JC.,Wang, H.,Huang, Y.,...&贾全杰.(2005).Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation.HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION,29,#REF!.
MLA Chen, J,et al."Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation".HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION 29(2005):#REF!.
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