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Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
其他题名侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错的同步辐射表征
Chen, J; Wang, JF; Zhang, JC; Wang, H; Huang, Y; Wang, YT; Yang, H; Jia, QJ; Jia QJ(贾全杰)
2005
发表期刊HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION
卷号29页码:#REF!
通讯作者Chen, J (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
文章类型Article
摘要By means of low temperature photoluminescence and synchrotron radiation X-ray diffraction, existence of stacking faults has been determined in epitaxy lateral overgrowth GaN by metalorganic chemical vapor deposition.
关键词GaN metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) epitaxy lateral overgrowth stacking faults synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD) pole figure
学科领域Physics
收录类别SCI
WOS类目Physics, Nuclear ; Physics, Particles & Fields
WOS记录号WOS:000234206900010
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/225667
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
Chen, J,Wang, JF,Zhang, JC,et al. Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation[J]. HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION,2005,29:#REF!.
APA Chen, J.,Wang, JF.,Zhang, JC.,Wang, H.,Huang, Y.,...&贾全杰.(2005).Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation.HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION,29,#REF!.
MLA Chen, J,et al."Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation".HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION 29(2005):#REF!.
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