IHEP OpenIR  > 实验物理中心
A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology
Liang, F; Lu, W; Chen, J; Deng, B; Gong, D; Guo, D; Jin, G; Li, X; Liang, H; Liu, C; Liu, G; Wang, Z; Xiang, A; Xu, T; Ye, J; Liu, T;陆卫国; Liu G(刘刚); Wang Z(王铮)
2014
发表期刊JOURNAL OF INSTRUMENTATION
卷号9页码:C01021
摘要We report a VCSEL driver ASIC designed and fabricated in a commercial 65-nm CMOS process. At 8 Gbps, the eye diagram passes the eye mask test and the bit-error-rate is less than 10(-12) at the 95% confidence level. The total power consumption (including VCSEL) is about 54mW, less than 1/4 of our previous VCSEL driver ASIC in a silicon-on-sapphire CMOS technology. The VCSEL driver has been tested in a neutron beam with the maximum energy of 800MeV and the cross section has been estimated to be less than 3.14 x 10(-11) cm(2).
关键词VLSI circuits Analogue electronic circuits Front-end electronics for detector readout
学科领域Instruments & Instrumentation
DOI10.1088/1748-0221/9/01/C01021
收录类别SCI
WOS记录号WOS:000332307000021
引用统计
被引频次:1[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/225097
专题实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Liang, F,Lu, W,Chen, J,et al. A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology[J]. JOURNAL OF INSTRUMENTATION,2014,9:C01021.
APA Liang, F.,Lu, W.,Chen, J.,Deng, B.,Gong, D.,...&王铮.(2014).A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology.JOURNAL OF INSTRUMENTATION,9,C01021.
MLA Liang, F,et al."A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology".JOURNAL OF INSTRUMENTATION 9(2014):C01021.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
11094.pdf(2133KB)期刊论文作者接受稿限制开放CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[Liang, F]的文章
[Lu, W]的文章
[Chen, J]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[Liang, F]的文章
[Lu, W]的文章
[Chen, J]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[Liang, F]的文章
[Lu, W]的文章
[Chen, J]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。