A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology
Liang, F; Lu, W; Chen, J; Deng, B; Gong, D; Guo, D; Jin, G; Li, X; Liang, H; Liu, C; Liu, G; Wang, Z; Xiang, A; Xu, T; Ye, J; Liu, T;陆卫国; Liu G(刘刚); Wang Z(王铮)
刊名JOURNAL OF INSTRUMENTATION
2014
卷号9页码:C01021
关键词VLSI circuits Analogue electronic circuits Front-end electronics for detector readout
学科分类Instruments & Instrumentation
DOI10.1088/1748-0221/9/01/C01021
英文摘要We report a VCSEL driver ASIC designed and fabricated in a commercial 65-nm CMOS process. At 8 Gbps, the eye diagram passes the eye mask test and the bit-error-rate is less than 10(-12) at the 95% confidence level. The total power consumption (including VCSEL) is about 54mW, less than 1/4 of our previous VCSEL driver ASIC in a silicon-on-sapphire CMOS technology. The VCSEL driver has been tested in a neutron beam with the maximum energy of 800MeV and the cross section has been estimated to be less than 3.14 x 10(-11) cm(2).
收录类别SCI
WOS记录号WOS:000332307000021
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/225097
专题中国科学院高能物理研究所_实验物理中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Liang, F,Lu, W,Chen, J,et al. A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology[J]. JOURNAL OF INSTRUMENTATION,2014,9:C01021.
APA Liang, F.,Lu, W.,Chen, J.,Deng, B.,Gong, D.,...&王铮.(2014).A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology.JOURNAL OF INSTRUMENTATION,9,C01021.
MLA Liang, F,et al."A 54-mW 8-Gbit/s VCSEL driver in a 65-nm CMOS technology".JOURNAL OF INSTRUMENTATION 9(2014):C01021.
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