Direct graphene synthesis on SiO2/Si substrate by ion implantation
Zhang, R; Wang, ZS; Zhang, ZD; Dai, ZG; Wang, LL; Li, H; Zhou, L; Shang, YX; He, J; Fu, DJ; Liu, JR;何俊
刊名APPLIED PHYSICS LETTERS
2013
卷号102期号:19页码:193102
学科分类Physics
DOI10.1063/1.4804982
英文摘要We present results of few-layer graphene synthesis directly on SiO2/Si substrate by negative carbon ion implantation in Ni catalyst films on the top of SiO2/Si substrate. Negative carbon ions at 20 keV were implanted into Ni films with doses of (4-16) x 10(15) cm(-2). The implanted carbon atoms dissolved in Ni at an elevated temperature and diffused towards both sides of the Ni film. After annealing, graphene layers were observed on top of the Ni surface and on SiO2 beneath the Ni film. Formation of graphene layers directly on insulating substrates was achieved by etching the top Ni layer. (C) 2013 AIP Publishing LLC.
收录类别SCI
WOS记录号WOS:000320440800081
引用统计
被引频次:15[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/224669
专题中国科学院高能物理研究所_加速器中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang, R,Wang, ZS,Zhang, ZD,et al. Direct graphene synthesis on SiO2/Si substrate by ion implantation[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2013,102(19):193102.
APA Zhang, R.,Wang, ZS.,Zhang, ZD.,Dai, ZG.,Wang, LL.,...&Liu, JR;何俊.(2013).Direct graphene synthesis on SiO2/Si substrate by ion implantation.APPLIED PHYSICS LETTERS,102(19),193102.
MLA Zhang, R,et al."Direct graphene synthesis on SiO2/Si substrate by ion implantation".APPLIED PHYSICS LETTERS 102.19(2013):193102.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
10177.pdf(2072KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[Zhang, R]的文章
[Wang, ZS]的文章
[Zhang, ZD]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[Zhang, R]的文章
[Wang, ZS]的文章
[Zhang, ZD]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[Zhang, R]的文章
[Wang, ZS]的文章
[Zhang, ZD]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 10177.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。