IHEP OpenIR  > 多学科研究中心
Ultrahigh Anomalous Hall Sensitivity in Co/Pt Multilayers by Interfacial Modification
Zhang, JY; Yang, G; Wang, SG; Zhang, SL; Zhang, P; Cao, XZ; Jiang, SL; Zhao, CJ; Liu, Y; Wang, HC; Yu, GH;张鹏(正); Cao XZ(曹兴忠)
2013
发表期刊APPLIED PHYSICS EXPRESS
卷号6期号:10页码:103007
摘要A large enhancement of anomalous Hall sensitivity (S-v) by metal/oxide interfacial modification is obtained in a MgO/[Co/Pt](3)/MgO multilayered structure. The values of S-v are increased to 8363 V/A.T by CoO insertion and 2261 V/A.T by Pt insertion, while S-v is approximately 1000 V/A.T in normal Hall semiconductor sensors. Microstructural analysis shows that the crystal orientation of [Co/Pt](3) multilayers is improved, and the oxygen concentration is largely changed by introducing an ultrathin CoO layer at metal/oxide interfaces, leading to a large increment of S-v. (C) 2013 The Japan Society of Applied Physics
学科领域Physics
DOI10.7567/APEX.6.103007
收录类别SCI
WOS记录号WOS:000325704800026
引用统计
被引频次:10[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/224613
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang, JY,Yang, G,Wang, SG,et al. Ultrahigh Anomalous Hall Sensitivity in Co/Pt Multilayers by Interfacial Modification[J]. APPLIED PHYSICS EXPRESS,2013,6(10):103007.
APA Zhang, JY.,Yang, G.,Wang, SG.,Zhang, SL.,Zhang, P.,...&曹兴忠.(2013).Ultrahigh Anomalous Hall Sensitivity in Co/Pt Multilayers by Interfacial Modification.APPLIED PHYSICS EXPRESS,6(10),103007.
MLA Zhang, JY,et al."Ultrahigh Anomalous Hall Sensitivity in Co/Pt Multilayers by Interfacial Modification".APPLIED PHYSICS EXPRESS 6.10(2013):103007.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
9738.pdf(2444KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[Zhang, JY]的文章
[Yang, G]的文章
[Wang, SG]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[Zhang, JY]的文章
[Yang, G]的文章
[Wang, SG]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[Zhang, JY]的文章
[Yang, G]的文章
[Wang, SG]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 9738.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。