Enhanced thermoelectric performance of a BiCuSeO system via band gap tuning
Liu, Y; Lan, JL; 徐伟;Xu, W; Liu, YC; Pei, YL; Cheng, B; Liu, DB; Lin, YH; Zhao, LD
刊名CHEMICAL COMMUNICATIONS
2013
卷号49期号:73页码:8075-8077
学科分类Chemistry
DOI10.1039/c3cc44578j
英文摘要Upon 20% Te substitution, the band gap decreases from 0.8 eV to 0.65 eV. Rising temperature promotes minority carrier jumps across the band gap, thereby improving electrical conductivity. With low thermal conductivity and large Seebeck coefficients, a remarkable ZT of 0.71 at 873 K is achieved for BiCuSe0.94Te0.06O.
收录类别SCI
WOS记录号WOS:000323195600028
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/224305
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
Liu, Y,Lan, JL,徐伟;Xu, W,et al. Enhanced thermoelectric performance of a BiCuSeO system via band gap tuning[J]. CHEMICAL COMMUNICATIONS,2013,49(73):8075-8077.
APA Liu, Y.,Lan, JL.,徐伟;Xu, W.,Liu, YC.,Pei, YL.,...&Zhao, LD.(2013).Enhanced thermoelectric performance of a BiCuSeO system via band gap tuning.CHEMICAL COMMUNICATIONS,49(73),8075-8077.
MLA Liu, Y,et al."Enhanced thermoelectric performance of a BiCuSeO system via band gap tuning".CHEMICAL COMMUNICATIONS 49.73(2013):8075-8077.
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