50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计
谢常青; 陈大鹏; 李兵; 叶甜春; 伊福廷; 彭良强; 韩勇; 张菊芳
刊名核技术
2004
期号5页码:321-324
关键词X射线光刻 同步辐射 束衍生法 光刻分辨率
其他题名SYNCHROTRON RADIATION X-RAY LITHOGRAPHY BEAMLINE DESIGN FOR 50NM RESOLUTION AND BELOW
中文摘要X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223328
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
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GB/T 7714
谢常青,陈大鹏,李兵,等. 50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计[J]. 核技术,2004(5):321-324.
APA 谢常青.,陈大鹏.,李兵.,叶甜春.,伊福廷.,...&张菊芳.(2004).50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计.核技术(5),321-324.
MLA 谢常青,et al."50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计".核技术 .5(2004):321-324.
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