调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变
谭伟石; 沙昊; 沈波; 蔡宏灵; 吴小山; 蒋树声; 郑文莉; 贾全杰; 姜晓明
刊名核技术
2002
期号10页码:799-896
关键词AlxGa1-xN/GaN异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 应变 弛豫线模型
其他题名Microstrain in modulation - doped AlxGa1 - xN/GaN heterostructures
中文摘要用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223195
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
谭伟石,沙昊,沈波,等. 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变[J]. 核技术,2002(10):799-896.
APA 谭伟石.,沙昊.,沈波.,蔡宏灵.,吴小山.,...&姜晓明.(2002).调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变.核技术(10),799-896.
MLA 谭伟石,et al."调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变".核技术 .10(2002):799-896.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
10122.pdf(283KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[谭伟石]的文章
[沙昊]的文章
[沈波]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[谭伟石]的文章
[沙昊]的文章
[沈波]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[谭伟石]的文章
[沙昊]的文章
[沈波]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 10122.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。