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B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变(英文)
其他题名Thermal Evolution of Defects in Crystalline Silicon by Sequential Implantation of B and H IONS
张蓓; 张鹏; 王军; 朱飞; 曹兴忠; 王宝义; 刘昌龙
2013
发表期刊原子核物理评论
期号4页码:471-476
其他摘要室温下将130 keV,5×1014cm 2B离子和55 keV,1×1016cm 2H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷,并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示,在顺次注入的样品中,B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。
关键词单晶Si B和H离子注入 H板层缺陷 XTEM SPAT
项目资助者National Natural Science Foundation of China(10975107)~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223072
专题核技术应用研究中心
多学科研究中心
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GB/T 7714
张蓓,张鹏,王军,等. B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变(英文)[J]. 原子核物理评论,2013(4):471-476.
APA 张蓓.,张鹏.,王军.,朱飞.,曹兴忠.,...&刘昌龙.(2013).B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变(英文).原子核物理评论(4),471-476.
MLA 张蓓,et al."B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变(英文)".原子核物理评论 .4(2013):471-476.
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