GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究
张明兰; 杨瑞霞; 李卓昕; 曹兴忠; 王宝义; 王晓晖
刊名物理学报
2013
期号11页码:435-438
关键词GaN 缺陷 质子 辐照
其他题名Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film
中文摘要本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷,实验发现:能量为5MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位,没有双空位或者空位团形成;在10K测试的低温光致发光谱中,带边峰出现了"蓝移",辐照后黄光带的发光强度减弱,说明黄光带的起源与Ga空位(VGa)之间不存在必然的联系,各激子发光峰位置没有改变,仅强度随质子注量发生变化;样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大,说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响,薄膜晶体质量下降.
项目资助者高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20111317120005) ; 河北省高等学校科学技术研究重点项目(批准号:ZD2010124) ; 国家自然科学基金(批准号:61076004)资助的课题~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223068
专题中国科学院高能物理研究所_核技术应用研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张明兰,杨瑞霞,李卓昕,等. GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究[J]. 物理学报,2013(11):435-438.
APA 张明兰,杨瑞霞,李卓昕,曹兴忠,王宝义,&王晓晖.(2013).GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究.物理学报(11),435-438.
MLA 张明兰,et al."GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究".物理学报 .11(2013):435-438.
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