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Light-extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes using two-step roughening methods
An TL(安铁雷); Sun B(孙波); Wei TB(魏同波); Zhao LX(赵丽霞); Duan RF(段瑞飞); Liao YX(廖元勋); Li JM(李晋闽); Yi FT(伊福廷)
2013
发表期刊Journal of Semiconductors
期号11页码:53-56
摘要The light extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes(FSFCLEDs)using two-step roughening methods is investigated.The output power of LEDs fabricated by using one-step and two-step roughening methods are compared.The results indicate that two-step roughening metho...
关键词freestanding GaN flip chip LED CsCl wet etching light extraction
项目资助者supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274040,61274008) ; the National Basic Research Program of China(No.2011CB301902) ; the National High Technology Program of China(No.2011AA03A103)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223032
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
An TL,Sun B,Wei TB,et al. Light-extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes using two-step roughening methods[J]. Journal of Semiconductors,2013(11):53-56.
APA 安铁雷.,孙波.,魏同波.,赵丽霞.,段瑞飞.,...&伊福廷.(2013).Light-extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes using two-step roughening methods.Journal of Semiconductors(11),53-56.
MLA 安铁雷,et al."Light-extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes using two-step roughening methods".Journal of Semiconductors .11(2013):53-56.
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