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In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition
伊明江·买买提; 阿布都艾则孜·阿布来提; 吴蕊; 王嘉鸥; 钱海杰; 奎热西·依布拉欣
2013
发表期刊Chinese Physics B
期号12页码:414-419
通讯作者奎热西
摘要The in situ valence band photoemission spectrum(PES) and X-ray absorption spectrum(XAS) at V LII LIIIedges of the VO2 thin film, which is prepared by pulsed laser deposition, are measured across the metal–insulator transition(MIT) temperature(TMIT= 67°C). The spectra show evidence for changes in the...
关键词vanadium dioxide metal–insulator transition electronic structure photoemission spectroscopy
项目资助者Project supported by the Natural Science Foundation of the Chinese Academy of Sciences(Grant No.H91G750Y21)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223011
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
伊明江·买买提,阿布都艾则孜·阿布来提,吴蕊,等. In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition[J]. Chinese Physics B,2013(12):414-419.
APA 伊明江·买买提,阿布都艾则孜·阿布来提,吴蕊,王嘉鸥,钱海杰,&奎热西·依布拉欣.(2013).In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition.Chinese Physics B(12),414-419.
MLA 伊明江·买买提,et al."In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition".Chinese Physics B .12(2013):414-419.
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