In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition
伊明江·买买提; 阿布都艾则孜·阿布来提; 吴蕊; 王嘉鸥; 钱海杰; 奎热西·依布拉欣
刊名Chinese Physics B
2013
期号12页码:414-419
关键词vanadium dioxide metal–insulator transition electronic structure photoemission spectroscopy
通讯作者奎热西
英文摘要The in situ valence band photoemission spectrum(PES) and X-ray absorption spectrum(XAS) at V LII LIIIedges of the VO2 thin film, which is prepared by pulsed laser deposition, are measured across the metal–insulator transition(MIT) temperature(TMIT= 67°C). The spectra show evidence for changes in the...
项目资助者Project supported by the Natural Science Foundation of the Chinese Academy of Sciences(Grant No.H91G750Y21)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223011
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
伊明江·买买提,阿布都艾则孜·阿布来提,吴蕊,等. In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition[J]. Chinese Physics B,2013(12):414-419.
APA 伊明江·买买提,阿布都艾则孜·阿布来提,吴蕊,王嘉鸥,钱海杰,&奎热西·依布拉欣.(2013).In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition.Chinese Physics B(12),414-419.
MLA 伊明江·买买提,et al."In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition".Chinese Physics B .12(2013):414-419.
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