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缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文)
其他题名Mechanistic study on hydrogenation of electron-rich substrates with electron-deficient Rh-BINAP catalyst
黄碧玉; 吴海臣; 杨镜奎
2012
发表期刊中国科学院研究生院学报
期号4页码:571-575
通讯作者黄碧玉
其他摘要合成了4种富电性的脱氢α-氨基酸衍生物,将缺电子催化剂Rh-3,5-CF3-(R)-BINAP用于这几种底物的不对称氢化反应中.讨论了底物上取代基及空间位阻对对映选择性的影响.
关键词富电性底物 缺电子催化剂 不对称氢化 机理
项目资助者Supported by the Project of the National Natural Science Foundation of China(20972159) ; the President Fund of GUCAS
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/223002
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
黄碧玉,吴海臣,杨镜奎. 缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文)[J]. 中国科学院研究生院学报,2012(4):571-575.
APA 黄碧玉,吴海臣,&杨镜奎.(2012).缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文).中国科学院研究生院学报(4),571-575.
MLA 黄碧玉,et al."缺电子Rh-BINAP催化剂催化氢化富电性底物的机理研究(英文)".中国科学院研究生院学报 .4(2012):571-575.
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