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阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究
其他题名Positron annihilation technique study of porous silicon prepared by anodization methods
梁立欢; 李卓昕; 王宝义; 吴伟明
2011
发表期刊广西大学学报(自然科学版)
期号5页码:863-866
通讯作者梁立欢
其他摘要使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能的影响。实验结果表明,随着腐蚀电流密度的增大,电子偶素在样品中的pick-off湮没寿命先增大后减小,同时样品的发光强度显示出相同趋势。可以推断,在腐蚀电流密度增加过程中,样品中硅纳米线尺寸逐渐减小,并且由于腐蚀作用增强而发生断裂,造成多孔硅层崩塌;样品的发光主要来源于纳米颗粒或纳米线的量子限制效应,并在颗粒最小时发光峰最强。
关键词多孔硅 正电子湮没 电流密度 量子限制 阳极腐蚀
项目资助者国家自然科学基金资助项目(10835006,10705031)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222869
专题多学科研究中心
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
梁立欢,李卓昕,王宝义,等. 阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究[J]. 广西大学学报(自然科学版),2011(5):863-866.
APA 梁立欢,李卓昕,王宝义,&吴伟明.(2011).阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究.广西大学学报(自然科学版)(5),863-866.
MLA 梁立欢,et al."阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究".广西大学学报(自然科学版) .5(2011):863-866.
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