Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性
李响; 安玉凯; 肖庆; 段岭申; 吴忠华; 刘技文
刊名光电子.激光
2011
期号7页码:1038-1041
关键词SiC 稀磁半导体(DMS) Co掺杂 铁磁性
其他题名Magnetic and resistant properties of co-doped SiCDMS film
中文摘要采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。
项目资助者国家自然科学基金资助项目(10904110,60476003) ; 天津市自然科学基金资助项目(10JCYBJC01600) ; 天津市高等学校科技发展基金资助项目(20060902)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222866
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
李响,安玉凯,肖庆,等. Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性[J]. 光电子.激光,2011(7):1038-1041.
APA 李响,安玉凯,肖庆,段岭申,吴忠华,&刘技文.(2011).Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性.光电子.激光(7),1038-1041.
MLA 李响,et al."Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性".光电子.激光 .7(2011):1038-1041.
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