水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究
李卓昕; 王丹妮; 王宝义; 薛德胜; 魏龙; 秦秀波
刊名物理学报
2010
期号12页码:8915-8919
关键词多孔硅 光致发光 正电子湮没谱
其他题名Positron annihilation study of photoluminescence of porous silicon treated by water vapor annealing
中文摘要使用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱对水蒸气和真空条件下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行表征,结合发射光谱测量结果,对影响多孔硅发光性能的因素进行了讨论.实验结果表明,水蒸气退火后样品孔壁表面的悬挂键减少,并出现新的E′γ和EX类缺陷.水蒸气退火后样品中两种缺陷数量发生变化是导致多孔硅样品发光增强的直接原因;真空退火未使样品中发光相关缺陷发生变化,样品的发光性能没有显著改变.
项目资助者国家自然科学基金(批准号:10835006,10705031)资助的课题~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222827
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李卓昕,王丹妮,王宝义,等. 水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究[J]. 物理学报,2010(12):8915-8919.
APA 李卓昕,王丹妮,王宝义,薛德胜,魏龙,&秦秀波.(2010).水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究.物理学报(12),8915-8919.
MLA 李卓昕,et al."水蒸气退火多孔硅发光性能的正电子谱学研究".物理学报 .12(2010):8915-8919.
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