硅衬底Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的慢正电子束研究
王耘波; 高俊雄; 郭冬云; 于军; 魏龙
刊名功能材料
2010
期号11页码:1876-1878+1882
关键词慢正电子束 多普勒展宽谱 Bi4Ti3O12铁电薄膜 缺陷
其他题名Study of Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 ferroelectric films with Si substrate by variable-energy positron beam
中文摘要对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散。
项目资助者国家自然科学基金资助项目(60971008)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222789
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王耘波,高俊雄,郭冬云,等. 硅衬底Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的慢正电子束研究[J]. 功能材料,2010(11):1876-1878+1882.
APA 王耘波,高俊雄,郭冬云,于军,&魏龙.(2010).硅衬底Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的慢正电子束研究.功能材料(11),1876-1878+1882.
MLA 王耘波,et al."硅衬底Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的慢正电子束研究".功能材料 .11(2010):1876-1878+1882.
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