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Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
Zhao DG(赵德刚); Zhang S(张爽); Liu WB(刘文宝); Hao XP(郝小鹏); Jiang DS(江德生); Zhu JJ(朱建军); Liu ZS(刘宗顺); Wang H(王辉); Zhang SM(张书明); Yang H(杨辉); Wei L(魏龙)
2010
发表期刊Chinese Physics B
期号5页码:571-574
摘要The leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors is investigated.It is found that the photodetectors adopting undoped GaN instead of lightly Si-doped GaN as an active layer show a much lower leakage current even when they have a higher dislocation density.It is also found that ...
关键词Ga vacancies MOCVD GaN Schottky barrier photodetector
项目资助者Project supported by the National Science Fund for Distinguished Young Scholars (Grant No. 60925017) ; the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60836003 and 60776047) ; the National Basic Research Program of China (Grant No.2007CB936700) ; the National High Technology Resea...
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222781
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
Zhao DG,Zhang S,Liu WB,et al. Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors[J]. Chinese Physics B,2010(5):571-574.
APA 赵德刚.,张爽.,刘文宝.,郝小鹏.,江德生.,...&魏龙.(2010).Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors.Chinese Physics B(5),571-574.
MLA 赵德刚,et al."Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors".Chinese Physics B .5(2010):571-574.
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