Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
Zhao DG(赵德刚); Zhang S(张爽); Liu WB(刘文宝); Hao XP(郝小鹏); Jiang DS(江德生); Zhu JJ(朱建军); Liu ZS(刘宗顺); Wang H(王辉); Zhang SM(张书明); Yang H(杨辉); Wei L(魏龙)
刊名Chinese Physics B
2010
期号5页码:571-574
关键词Ga vacancies MOCVD GaN Schottky barrier photodetector
英文摘要The leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors is investigated.It is found that the photodetectors adopting undoped GaN instead of lightly Si-doped GaN as an active layer show a much lower leakage current even when they have a higher dislocation density.It is also found that ...
项目资助者Project supported by the National Science Fund for Distinguished Young Scholars (Grant No. 60925017) ; the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60836003 and 60776047) ; the National Basic Research Program of China (Grant No.2007CB936700) ; the National High Technology Resea...
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222781
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
Zhao DG,Zhang S,Liu WB,et al. Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors[J]. Chinese Physics B,2010(5):571-574.
APA 赵德刚.,张爽.,刘文宝.,郝小鹏.,江德生.,...&魏龙.(2010).Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors.Chinese Physics B(5),571-574.
MLA 赵德刚,et al."Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors".Chinese Physics B .5(2010):571-574.
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