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Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation
Zhang Z(张哲); Qin XB(秦秀波); Wang DN(王丹妮); Yu RS(于润升); Wang QZ(王巧占); Ma YY(马雁云); Wang BY(王宝义)
2009
发表期刊中国物理C
期号2页码:156-160
通讯作者王宝义
摘要Positron annihilation lifetime and Doppler broadening of annihilation line techniques have been used to obtain information about the small pore structure and size of porous SiO2 thin film produced by sputtered Al-Si thin film and etched Al-Si thin film. The film is prepared by an Al/Si 75:25 at.-% (...
关键词Al-Si thin film porous SiO2 thin film positron annihilation
项目资助者Supported by National Natural Science Foundation of China (10575112, 60606011)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222758
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
Zhang Z,Qin XB,Wang DN,et al. Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation[J]. 中国物理C,2009(2):156-160.
APA 张哲.,秦秀波.,王丹妮.,于润升.,王巧占.,...&王宝义.(2009).Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation.中国物理C(2),156-160.
MLA 张哲,et al."Identification of pore size in porous SiO_2 thin film by positron annihilation".中国物理C .2(2009):156-160.
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