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介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征
其他题名Pore structure determination of mesoporous SiO2 thin films by slow positron annihilation spectroscopy
王巧占; 于润升; 秦秀波; 李玉晓; 王宝义; 贾全杰
2009
发表期刊物理学报
期号12页码:8478-8483
其他摘要通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱,探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.
关键词同步辐射 X射线反射率 Doppler展宽 正电子素飞行时间谱
项目资助者国家自然科学基金(批准号:10835006 ; 60606011 ; 10705031)资助的课题~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222738
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
王巧占,于润升,秦秀波,等. 介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征[J]. 物理学报,2009(12):8478-8483.
APA 王巧占,于润升,秦秀波,李玉晓,王宝义,&贾全杰.(2009).介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征.物理学报(12),8478-8483.
MLA 王巧占,et al."介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征".物理学报 .12(2009):8478-8483.
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