GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
陈伟华; 廖辉; 胡晓东; 李睿; 贾全杰; 金元浩; 杜为民; 杨志坚; 张国义
刊名光谱学与光谱分析
2009
期号6页码:1441-1444
关键词GaN基激光器 多量子阱(MQWs) AlInGaN 垒材料
其他题名Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes
中文摘要在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小...
项目资助者国家自然科学基金项目(60776042) ; 863”计划项目(2007AA03Z403) ; 国家重大科学研究计划项目(2006CB921607)资助
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222680
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
陈伟华,廖辉,胡晓东,等. GaN基激光器多量子阱垒材料的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2009(6):1441-1444.
APA 陈伟华.,廖辉.,胡晓东.,李睿.,贾全杰.,...&张国义.(2009).GaN基激光器多量子阱垒材料的研究.光谱学与光谱分析(6),1441-1444.
MLA 陈伟华,et al."GaN基激光器多量子阱垒材料的研究".光谱学与光谱分析 .6(2009):1441-1444.
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