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Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
Li WW(李巍巍); Zhao YW(赵有文); Dong ZY(董志远); Yang J(杨俊); Hu WJ(胡炜杰); Ke JH(客建红); Huang Y(黄艳); Gao ZH(高振华)
2009
发表期刊半导体学报
期号8页码:31-33
摘要High concentrations of Si and Zn were implanted into (0001) AlN bulk crystal grown by the self-seeded physical vapor transport (PVT) method. Cathode luminescence (CL) and photoluminescence (PL) spectroscopy were used to investigate the defects and properties of the implanted AlN. PL spectra of the i...
关键词AlN implantation impurity defect
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222673
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
Li WW,Zhao YW,Dong ZY,et al. Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal[J]. 半导体学报,2009(8):31-33.
APA 李巍巍.,赵有文.,董志远.,杨俊.,胡炜杰.,...&高振华.(2009).Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal.半导体学报(8),31-33.
MLA 李巍巍,et al."Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal".半导体学报 .8(2009):31-33.
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