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退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响
其他题名Effect of Annealing Temperature on the Microstructure and Scintillation Properties of CsI(T1) Films
程峰; 钟玉荣; 王宝义; 王天民; 魏龙
2008
发表期刊无机材料学报
期号4页码:749-752
通讯作者程峰
其他摘要采用真空热蒸发法制备了CsI(T1)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(T1)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(T1)薄膜沿(200)晶面择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的T1~+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250℃退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400℃退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差,Ti~+含量减少,光产额急剧下降.
关键词CsI薄膜 微观结构 闪烁性能
项目资助者国家自然科学基金(10475096)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222637
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
程峰,钟玉荣,王宝义,等. 退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响[J]. 无机材料学报,2008(4):749-752.
APA 程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,&魏龙.(2008).退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响.无机材料学报(4),749-752.
MLA 程峰,et al."退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响".无机材料学报 .4(2008):749-752.
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