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三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)
其他题名Microscopic Structure of Al0.15 In0.01 Ga0.84 N/In0.2 Ga0.8 N and In0.2 Ga0.8 N/GaN of GaN-based Quantum-well
廖辉; 陈伟华; 李丁; 李睿; 贾全杰; 杨志坚; 张国义; 胡晓东
2008
发表期刊发光学报
期号5页码:789-794
其他摘要GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。利用原子力显微镜表征了样品的(001)面;通过高分辨X射线衍射对两种量子阱结构的(002)面作ω/2θ扫描测得其卫星峰并分析了两种不同量子阱结构的界面质量;利用X射线衍射对InGaN/GaN和AlInGaN/GaN这两种量子阱的(002)、(101)、(102)、(103)、(104)、(105)和(201)面做ω扫描,进而得到其摇摆曲线。最后利用PL谱研究了它们的光学性...
关键词AlInGaN InGaN 量子阱 原子力显微镜
项目资助者National Natural Science Foundation of China(60477011,60776042) ; National Basic Research Program of China( 2006CB604908,2006CB921607 ) ; the National High Technology Program of China(2007AA03Z403) ; 973”Project (2007CB307004)~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222595
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
廖辉,陈伟华,李丁,等. 三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)[J]. 发光学报,2008(5):789-794.
APA 廖辉.,陈伟华.,李丁.,李睿.,贾全杰.,...&胡晓东.(2008).三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文).发光学报(5),789-794.
MLA 廖辉,et al."三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)".发光学报 .5(2008):789-794.
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