Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator
Li BS(李炳生); Zhang CH(张崇宏); Hao XP(郝小鹏); Wang DN(王丹妮); Zhou LH(周丽宏); Zhang HH(张洪华); Yang YT(杨义涛); Zhang LQ(张丽卿)
刊名Chinese Physics B
2008
期号10页码:3836-3840
关键词positron annihilation nanocavity oxygen di?usion silicon dioxide
英文摘要In the present work, a Cz-Silicon wafer is implanted with helium ions to produce a buried porous layer, and then thermally annealed in a dry oxygen atmosphere to make oxygen transport into the cavities. The formation of the buried oxide layer in the case of internal oxidation (ITOX) of the buried po...
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222587
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Li BS,Zhang CH,Hao XP,et al. Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator[J]. Chinese Physics B,2008(10):3836-3840.
APA 李炳生.,张崇宏.,郝小鹏.,王丹妮.,周丽宏.,...&张丽卿.(2008).Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator.Chinese Physics B(10),3836-3840.
MLA 李炳生,et al."Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator".Chinese Physics B .10(2008):3836-3840.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
6544.pdf(562KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[李炳生]的文章
[张崇宏]的文章
[郝小鹏]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[李炳生]的文章
[张崇宏]的文章
[郝小鹏]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[李炳生]的文章
[张崇宏]的文章
[郝小鹏]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 6544.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。