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Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator
Li BS(李炳生); Zhang CH(张崇宏); Hao XP(郝小鹏); Wang DN(王丹妮); Zhou LH(周丽宏); Zhang HH(张洪华); Yang YT(杨义涛); Zhang LQ(张丽卿)
2008
发表期刊Chinese Physics B
期号10页码:3836-3840
摘要In the present work, a Cz-Silicon wafer is implanted with helium ions to produce a buried porous layer, and then thermally annealed in a dry oxygen atmosphere to make oxygen transport into the cavities. The formation of the buried oxide layer in the case of internal oxidation (ITOX) of the buried po...
关键词positron annihilation nanocavity oxygen di?usion silicon dioxide
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222587
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
Li BS,Zhang CH,Hao XP,et al. Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator[J]. Chinese Physics B,2008(10):3836-3840.
APA 李炳生.,张崇宏.,郝小鹏.,王丹妮.,周丽宏.,...&张丽卿.(2008).Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator.Chinese Physics B(10),3836-3840.
MLA 李炳生,et al."Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator".Chinese Physics B .10(2008):3836-3840.
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