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微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
其他题名Studies on surface roughness and growth mechanisms of microcrystalline silicon films by grazing incidence X-ray reflectivity
周炳卿; 刘丰珍; 朱美芳; 周玉琴; 吴忠华; 陈兴
2007
发表期刊物理学报
期号4页码:2422-2427
其他摘要采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200℃,电极间距为2cm,沉积气压为6.66×102Pa,射频功率密度为0.22W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.
关键词X射线掠角反射 微晶硅薄膜 表面粗糙度 生长机制
项目资助者国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208) ; 中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室开放课题基金 ; 国家自然科学基金(批准号:50662003) ; 内蒙古自治区自然科学基金(批准号:200308020104)资助的课题.~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222556
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
周炳卿,刘丰珍,朱美芳,等. 微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究[J]. 物理学报,2007(4):2422-2427.
APA 周炳卿,刘丰珍,朱美芳,周玉琴,吴忠华,&陈兴.(2007).微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究.物理学报(4),2422-2427.
MLA 周炳卿,et al."微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究".物理学报 .4(2007):2422-2427.
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