基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响
张辉; 刘应书; 刘文海; 王宝义; 魏龙
刊名物理学报
2007
期号12页码:7255-7261
关键词氧化钒 磁控溅射 相变薄膜 X射线光电子能谱
其他题名The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering
通讯作者张辉
中文摘要采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提高,晶粒逐渐长大,钒被氧化为高价态,但此时薄膜中高键能态氧降低.较高的基片温度和氧分压有利于薄膜中晶粒的生长;低氧分压不利于钒的氧化,高氧分压可以将钒氧化为高价态,同时,氧高键能态降低.
项目资助者国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222554
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张辉,刘应书,刘文海,等. 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响[J]. 物理学报,2007(12):7255-7261.
APA 张辉,刘应书,刘文海,王宝义,&魏龙.(2007).基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响.物理学报(12),7255-7261.
MLA 张辉,et al."基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响".物理学报 .12(2007):7255-7261.
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