| 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响 |
| 其他题名 | The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering
|
| 张辉; 刘应书; 刘文海; 王宝义 ; 魏龙
|
| 2007
|
| 发表期刊 | 物理学报
 |
| 期号 | 12页码:7255-7261 |
| 通讯作者 | 张辉
|
| 其他摘要 | 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提高,晶粒逐渐长大,钒被氧化为高价态,但此时薄膜中高键能态氧降低.较高的基片温度和氧分压有利于薄膜中晶粒的生长;低氧分压不利于钒的氧化,高氧分压可以将钒氧化为高价态,同时,氧高键能态降低. |
| 关键词 | 氧化钒
磁控溅射
相变薄膜
X射线光电子能谱
|
| 项目资助者 | 国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.~~
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222554
|
| 专题 | 多学科研究中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
张辉,刘应书,刘文海,等. 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响[J]. 物理学报,2007(12):7255-7261.
|
| APA |
张辉,刘应书,刘文海,王宝义,&魏龙.(2007).基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响.物理学报(12),7255-7261.
|
| MLA |
张辉,et al."基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响".物理学报 .12(2007):7255-7261.
|
|
文件名：
|
6466.pdf
|
|
格式：
|
Adobe PDF
|
此文件暂不支持浏览
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论