锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究
郝小鹏; 王宝义; 于润升; 魏龙
刊名物理学报
2007
期号11页码:6543-6546
关键词锆离子注入 慢正电子束 缺陷
其他题名Zirconium-ion implantation of zircaloy-4 investiged by slow positron beam
通讯作者郝小鹏
中文摘要采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论.考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.
项目资助者国家自然科学基金(批准号:10275076,10275077,10475096)资助的课题.~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222553
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
郝小鹏,王宝义,于润升,等. 锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究[J]. 物理学报,2007(11):6543-6546.
APA 郝小鹏,王宝义,于润升,&魏龙.(2007).锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究.物理学报(11),6543-6546.
MLA 郝小鹏,et al."锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究".物理学报 .11(2007):6543-6546.
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